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codice articolo del costruttore | SI2337DS-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI2337DS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2337DS-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2337DS-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2337DS-T1-GE3-FT |
SI2312CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2333CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SQ2310ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
FDV305N
ON Semiconductor
RTR040N03TL
Rohm Semiconductor
BSS84PH6327XTSA2
Infineon Technologies
SQ2362ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
T2N7002BK,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
FDN5618P
ON Semiconductor
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel