casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS126L6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BSS126L6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS126L6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS126L6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 16mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 8µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS126L6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS126L6327HTSA1-FT |
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies
FDN308P
ON Semiconductor
FDN336P
ON Semiconductor
FDN359AN
ON Semiconductor
FDN537N
ON Semiconductor
FDN5632N-F085
ON Semiconductor
SI2304-TP
Micro Commercial Co
SI2304BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2305-TP
Micro Commercial Co
SI2307BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel