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Vishay Siliconix SI1965DH-T1-GE3

Name: SI1965DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1965DH-T1-GE3
Price: 0.15884 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (260 reviews)

Numero parte MFG: SI1965DH-T1-GE3

quantità disponibile: 88120 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.15884

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SI1965DH-T1-GE3.pdf

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SI1965DH-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SI1965DH-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SI1965DH-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SI1965DH-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 6V
Potenza - Max	1.25W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-70-6 (SOT-363)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI1965DH-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SI1965DH-T1-GE3-FT

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