casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI1563EDH-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI1563EDH-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1563EDH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1563EDH-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.13A, 880mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 570mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1563EDH-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1563EDH-T1-GE3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
5SGXMA5K1F35C1N
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel