casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI1539DDL-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI1539DDL-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1539DDL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1539DDL-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Tc), 460mA (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 388 mOhm @ 600mA, 10V, 1.07 Ohm @ 400mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 15V, 21pF @ 15V |
Potenza - Max | 340mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1539DDL-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1539DDL-T1-GE3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F1152I3
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FTQG176
Microsemi Corporation
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K1000CB652C7
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel