casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1450DH-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI1450DH-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1450DH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1450DH-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.05nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1450DH-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1450DH-T1-E3-FT |
2SK1119(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2544(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2866(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
APT1003RKLLG
Microsemi Corporation
APT11N80KC3G
Microsemi Corporation
APT1204R7KFLLG
Microsemi Corporation
APT12F60K
Microsemi Corporation
APT15F50K
Microsemi Corporation
APT30N60KC6
Microsemi Corporation
APT4F120K
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel