casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT12F60K
codice articolo del costruttore | APT12F60K |
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Numero di parte futuro | FT-APT12F60K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT12F60K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 225W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 [K] |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT12F60K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT12F60K-FT |
NDF04N62ZG
ON Semiconductor
NDF05N50ZG
ON Semiconductor
NDF05N50ZH
ON Semiconductor
NDF06N60ZG
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NDF06N62ZG
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NDF08N50ZG
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NDF08N60ZH
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EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
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M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel