casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1307EDL-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI1307EDL-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1307EDL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI1307EDL-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 850mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 290mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1307EDL-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1307EDL-T1-GE3-FT |
SI7153DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA66DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS429DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS822DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7102DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7111EDN-T1-GE3
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SIS415DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS444DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS447DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel