casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS16DXV6T1G
codice articolo del costruttore | BAS16DXV6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16DXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16DXV6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16DXV6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16DXV6T1G-FT |
MBR20L60CTG
ON Semiconductor
NTST40100CTG
ON Semiconductor
NTST20100CTG
ON Semiconductor
MBR20L45CTG
ON Semiconductor
MBR1535CTG
ON Semiconductor
NTSV30100CTG
ON Semiconductor
MUR1615CTG
ON Semiconductor
NTSV20U100CTG
ON Semiconductor
NTSV20120CTG
ON Semiconductor
NTST30U100CTG
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel