casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF1607GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF1607GHC0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SFF1607GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1607GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 500V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1607GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF1607GHC0G-FT |
U3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3C-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3C-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3C-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3C-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel