casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF1603G C0G
codice articolo del costruttore | SFF1603G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF1603G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFF1603G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1603G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF1603G C0G-FT |
CMF04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS10(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS01(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel