casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF1602GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF1602GHC0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SFF1602GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1602GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1602GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF1602GHC0G-FT |
CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS10(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel