casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF1602G C0G
codice articolo del costruttore | SFF1602G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF1602G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFF1602G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1602G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF1602G C0G-FT |
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS10(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel