casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF1006GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF1006GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF1006GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1006GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1006GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF1006GHC0G-FT |
SS3H9HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC53L-E3/51T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC53LHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC53LHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel