casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SSC53LHE3/9AT
codice articolo del costruttore | SSC53LHE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-SSC53LHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SSC53LHE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSC53LHE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSC53LHE3/9AT-FT |
MURS340HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340S-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340S-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340SHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340SHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel