casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD
codice articolo del costruttore | SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD |
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Numero di parte futuro | FT-SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EM-20 |
SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (MLC) |
Dimensione della memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | eMMC |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 153-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 153-LFBGA (11.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD-FT |
W632GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-15
Winbond Electronics
W632GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB11I
Winbond Electronics
W632GG6MB12I
Winbond Electronics
W632GG6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GG6MB15I
Winbond Electronics
W632GG6MB15I TR
Winbond Electronics
W632GU6MB-11
Winbond Electronics
W632GU6MB-12 TR
Winbond Electronics
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel