casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W632GG6MB11I
codice articolo del costruttore | W632GG6MB11I |
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Numero di parte futuro | FT-W632GG6MB11I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG6MB11I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-VFBGA (7.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG6MB11I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W632GG6MB11I-FT |
AT45DB161D-CCU
Adesto Technologies
AT45DB321D-CCU-SL383
Adesto Technologies
AT45DB321D-CU-SL383
Adesto Technologies
AT25DF321-S3U
Adesto Technologies
AT25DF641-S3H-B
Adesto Technologies
AT25DF641-S3H-T
Adesto Technologies
LE24L042CS-LV-TFM-E
ON Semiconductor
W9751G6KB-25
Winbond Electronics
W9725G6KB-25
Winbond Electronics
W9725G6KB-25 TR
Winbond Electronics