casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HERAF805G C0G
codice articolo del costruttore | HERAF805G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HERAF805G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERAF805G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF805G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HERAF805G C0G-FT |
SF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1040HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel