casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SF35GHR0G
codice articolo del costruttore | SF35GHR0G |
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Numero di parte futuro | FT-SF35GHR0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SF35GHR0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF35GHR0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SF35GHR0G-FT |
HER205G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER206G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER207G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER208G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel