casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR190HA0G
codice articolo del costruttore | MUR190HA0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR190HA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR190HA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 900V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 900V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR190HA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR190HA0G-FT |
SF27GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF27GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF28G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF28GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF28GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L4G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L4GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L4GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L6G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L6GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel