casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IMBD4448-E3-18
codice articolo del costruttore | IMBD4448-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-IMBD4448-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
IMBD4448-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMBD4448-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMBD4448-E3-18-FT |
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX0806FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4TU2006TFP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel