casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SE20PABHM3/I
codice articolo del costruttore | SE20PABHM3/I |
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Numero di parte futuro | FT-SE20PABHM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
SE20PABHM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 13pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-220AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-220AA (SMP) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE20PABHM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SE20PABHM3/I-FT |
V2P6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V2PM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V2PM12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUH1PD-M3/89A
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUH1PDHM3/89A
Vishay Semiconductor Diodes Division
MSS1P2LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MSS1P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MSS2P2-M3/89A
Vishay Semiconductor Diodes Division
MSS2P2HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MSS2P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel