casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MSS2P2HM3_A/H
codice articolo del costruttore | MSS2P2HM3_A/H |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MSS2P2HM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
MSS2P2HM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AD |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP (DO-219AD) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSS2P2HM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSS2P2HM3_A/H-FT |
UH6PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HE3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel