casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SE12DB-M3/I
codice articolo del costruttore | SE12DB-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-SE12DB-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
SE12DB-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 12A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE12DB-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SE12DB-M3/I-FT |
SD101BW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel