casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SD101BW-HE3-18
codice articolo del costruttore | SD101BW-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-SD101BW-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SD101BW-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 2.1pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD101BW-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SD101BW-HE3-18-FT |
VT2080SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT46W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation