casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SDUR830
codice articolo del costruttore | SDUR830 |
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Numero di parte futuro | FT-SDUR830 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SDUR830 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDUR830 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDUR830-FT |
STPS5H100BY-TR
STMicroelectronics
STTH1003SBY-TR
STMicroelectronics
STPS5L25B-TR
STMicroelectronics
STTH1003SB-TR
STMicroelectronics
STTH802BY-TR
STMicroelectronics
STTH5R06B
STMicroelectronics
STTH506B
STMicroelectronics
STTH4R02BY-TR
STMicroelectronics
STTH802B-TR
STMicroelectronics
STTH506B-TR
STMicroelectronics
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel