casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STTH1003SBY-TR
codice articolo del costruttore | STTH1003SBY-TR |
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Numero di parte futuro | FT-STTH1003SBY-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
STTH1003SBY-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTH1003SBY-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STTH1003SBY-TR-FT |
STPSC8H065G-TR
STMicroelectronics
STTA1206G
STMicroelectronics
STTA1206G-TR
STMicroelectronics
STTA806G
STMicroelectronics
STTA806G-TR
STMicroelectronics
STTH1003SG-TR
STMicroelectronics
STTH10LCD06SG-TR
STMicroelectronics
STTH10R04G
STMicroelectronics
STTH1210G
STMicroelectronics
STTH1210G-TR
STMicroelectronics
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel