casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STTH1003SBY-TR
codice articolo del costruttore | STTH1003SBY-TR |
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Numero di parte futuro | FT-STTH1003SBY-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
STTH1003SBY-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTH1003SBY-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STTH1003SBY-TR-FT |
STPSC8H065G-TR
STMicroelectronics
STTA1206G
STMicroelectronics
STTA1206G-TR
STMicroelectronics
STTA806G
STMicroelectronics
STTA806G-TR
STMicroelectronics
STTH1003SG-TR
STMicroelectronics
STTH10LCD06SG-TR
STMicroelectronics
STTH10R04G
STMicroelectronics
STTH1210G
STMicroelectronics
STTH1210G-TR
STMicroelectronics
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel