casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / SDTA114YET1G
codice articolo del costruttore | SDTA114YET1G |
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Numero di parte futuro | FT-SDTA114YET1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SDTA114YET1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDTA114YET1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDTA114YET1G-FT |
MUN5230T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5132T1G
ON Semiconductor
SMUN5112T1G
ON Semiconductor
MUN5231T1G
ON Semiconductor
MUN5132T1G
ON Semiconductor
MUN5216T1G
ON Semiconductor
MUN5112T1G
ON Semiconductor
SMUN5211T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5236T1G
ON Semiconductor
MUN5137T1G
ON Semiconductor
XC6SLX4-L1TQG144I
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
APA600-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-3
Intel
5AGZME1E3H29I4N
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7N
Intel