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codice articolo del costruttore | SDR0603-3R9ML |
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Numero di parte futuro | FT-SDR0603-3R9ML |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDR0603 |
SDR0603-3R9ML Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.1A |
Corrente - Saturazione | 2.2A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | 22 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 62MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.228" L x 0.228" W (5.80mm x 5.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.154" (3.90mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR0603-3R9ML Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDR0603-3R9ML-FT |
SDR0805-680KL
Bourns Inc.
SDR0805-152KL
Bourns Inc.
SDR0805-121KL
Bourns Inc.
SDR0805-3R3ML
Bourns Inc.
SDR0805-470KL
Bourns Inc.
SDR0805-472KL
Bourns Inc.
SDR0805-681KL
Bourns Inc.
SDR0805-6R8ML
Bourns Inc.
SDR0805-101KL
Bourns Inc.
SDR0805-151KL
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel