casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SDHN7.5K
codice articolo del costruttore | SDHN7.5K |
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Numero di parte futuro | FT-SDHN7.5K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SDHN7.5K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 7500V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 400mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 10V @ 200mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 7500V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDHN7.5K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDHN7.5K-FT |
MBR10200CDTR-G1
Diodes Incorporated
MBR1060CT-E1
Diodes Incorporated
MBR1060CT-G1
Diodes Incorporated
MBR20150CT-G1
Diodes Incorporated
MBR20200CT-E1
Diodes Incorporated
MBR20200CT-G1
Diodes Incorporated
MBR30100CT-G1
Diodes Incorporated
MBR30100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR3045CT-E1
Diodes Incorporated
MBR3045CT-G1
Diodes Incorporated
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel