casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR30100CTF-E1
codice articolo del costruttore | MBR30100CTF-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30100CTF-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR30100CTF-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30100CTF-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30100CTF-E1-FT |
VS-VSKD91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS200/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS201/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS208/060
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144A
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1SBG484C
Xilinx Inc.
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel
EPF10K50EQC208-3
Intel