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codice articolo del costruttore | SD8350-6R8-R |
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Numero di parte futuro | FT-SD8350-6R8-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SD8350 |
SD8350-6R8-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 3.9A |
Corrente - Saturazione | 4.4A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 25 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.374" L x 0.327" W (9.50mm x 8.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.118" (3.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD8350-6R8-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SD8350-6R8-R-FT |
UP4B-4R7-R
Eaton - Electronics Division
UP4B-R47-R
Eaton - Electronics Division
UP4B-1R5-R
Eaton - Electronics Division
UP4B-151
Eaton - Electronics Division
UP4B-221
Eaton - Electronics Division
UP4B-271-R
Eaton - Electronics Division
UP3B-4R7-R
Eaton - Electronics Division
UP3B-470-R
Eaton - Electronics Division
UP3B-330-R
Eaton - Electronics Division
UP3B-680-R
Eaton - Electronics Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel