casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4150W-HE3-08
codice articolo del costruttore | 1N4150W-HE3-08 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N4150W-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4150W-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150W-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4150W-HE3-08-FT |
80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60CPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60CPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60CPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel