casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ATP212-TL-H
codice articolo del costruttore | ATP212-TL-H |
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Numero di parte futuro | FT-ATP212-TL-H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ATP212-TL-H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ATPAK |
Pacchetto / caso | ATPAK (2 leads+tab) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATP212-TL-H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ATP212-TL-H-FT |
STU10N60M2
STMicroelectronics
STU2N105K5
STMicroelectronics
STU75N3LLH6
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STU7N60M2
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STU2N62K3
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STU16N65M5
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STU7NM60N
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A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel