casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NDF11N50ZH
codice articolo del costruttore | NDF11N50ZH |
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Numero di parte futuro | FT-NDF11N50ZH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDF11N50ZH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1645pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 39W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDF11N50ZH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDF11N50ZH-FT |
IRFI610G
Vishay Siliconix
IRFI614G
Vishay Siliconix
IRFI620
Vishay Siliconix
IRFI620G
Vishay Siliconix
IRFI624G
Vishay Siliconix
IRFI624GPBF
Vishay Siliconix
IRFI630G
Vishay Siliconix
IRFI634G
Vishay Siliconix
IRFI640G
Vishay Siliconix
IRFI644G
Vishay Siliconix
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel