casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ATP302-TL-H

| codice articolo del costruttore | ATP302-TL-H |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-ATP302-TL-H |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| ATP302-TL-H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ATPAK |
| Pacchetto / caso | ATPAK (2 leads+tab) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ATP302-TL-H Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | ATP302-TL-H-FT |

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