casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / LD412260
codice articolo del costruttore | LD412260 |
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Numero di parte futuro | FT-LD412260 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LD412260 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 600A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.19V @ 1800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40mA @ 2200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LD412260 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LD412260-FT |
VS-VSKCS440/030
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKCU300/06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD166/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD166/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD166/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD166/14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD166/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD196/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD196/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD196/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel