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codice articolo del costruttore | SCH114-120 |
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Numero di parte futuro | FT-SCH114-120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SCH114 |
SCH114-120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 12µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.9A |
Corrente - Saturazione | 3.8A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 68 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.409" L x 0.409" W (10.40mm x 10.40mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.193" (4.90mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCH114-120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SCH114-120-FT |
SCMD4D12C-330
Signal Transformer
SCMD4D12C-3R3
Signal Transformer
SCMD4D12C-470
Signal Transformer
SCMD4D12C-4R7
Signal Transformer
SCMD4D12C-680
Signal Transformer
SCMD4D12C-6R8
Signal Transformer
SCMD4D12-100
Signal Transformer
SCMD4D12-101
Signal Transformer
SCMD4D12-150
Signal Transformer
SCMD4D12-220
Signal Transformer
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel