casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / SCMD4D12-100
codice articolo del costruttore | SCMD4D12-100 |
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Numero di parte futuro | FT-SCMD4D12-100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SCMD4D12 |
SCMD4D12-100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 780mA |
Corrente - Saturazione | 1.1A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 480 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.252" L x 0.197" W (6.40mm x 5.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCMD4D12-100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SCMD4D12-100-FT |
SCR125B-820
Signal Transformer
SCR125B-821
Signal Transformer
SCR105B-100
Signal Transformer
SCR105B-101
Signal Transformer
SCR105B-120
Signal Transformer
SCR105B-121
Signal Transformer
SCR105B-150
Signal Transformer
SCR105B-151
Signal Transformer
SCR105B-180
Signal Transformer
SCR105B-181
Signal Transformer
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
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5SGXEA7H1F35C2N
Intel