casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / SC50VB160-G
codice articolo del costruttore | SC50VB160-G |
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Numero di parte futuro | FT-SC50VB160-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SC50VB160-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 5-Square, SCVB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SCVB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SC50VB160-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SC50VB160-G-FT |
GBJ15005
Diodes Incorporated
GBJ1501
Diodes Incorporated
GBJ1502
Diodes Incorporated
GBJ1504
Diodes Incorporated
GBJ1506
Diodes Incorporated
GBJ1510
Diodes Incorporated
GBJ20005
Diodes Incorporated
GBJ20005-F
Diodes Incorporated
GBJ2001
Diodes Incorporated
GBJ2002
Diodes Incorporated
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel