casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2002
codice articolo del costruttore | GBJ2002 |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2002 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2002 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2002 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2002-FT |
HD06-T
Diodes Incorporated
HD04-T
Diodes Incorporated
HD02-T
Diodes Incorporated
RH04-T
Diodes Incorporated
RH06-T
Diodes Incorporated
KBP206G
Diodes Incorporated
KBP02G
Diodes Incorporated
KBP005G
Diodes Incorporated
KBP204G
Diodes Incorporated
KBP210G
Diodes Incorporated
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel