casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SBR1A30T5-7
codice articolo del costruttore | SBR1A30T5-7 |
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Numero di parte futuro | FT-SBR1A30T5-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SBR1A30T5-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 95pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR1A30T5-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR1A30T5-7-FT |
BAS70T-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HT-7-F
Diodes Incorporated
BAS16T-7-F
Diodes Incorporated
BAS116T-7-F
Diodes Incorporated
BAS21T-7-F
Diodes Incorporated
BAS116T-7
Diodes Incorporated
BAS21T-7
Diodes Incorporated
BAS40T-7
Diodes Incorporated
BAT54T-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HT-7
Diodes Incorporated
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel