casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBLB25L30CTHE3/81
codice articolo del costruttore | SBLB25L30CTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-SBLB25L30CTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SBLB25L30CTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 12.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 12.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 900µA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBLB25L30CTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBLB25L30CTHE3/81-FT |
MBRB20H100CTGHE3/8
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel