casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB20H35CTHE3/81
codice articolo del costruttore | MBRB20H35CTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB20H35CTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRB20H35CTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20H35CTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB20H35CTHE3/81-FT |
FEPB6BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel