casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB10H100HE3/81
codice articolo del costruttore | MBRB10H100HE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB10H100HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRB10H100HE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H100HE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB10H100HE3/81-FT |
FESB16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division