casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBL1030CT801HE3/45
codice articolo del costruttore | SBL1030CT801HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-SBL1030CT801HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SBL1030CT801HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBL1030CT801HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBL1030CT801HE3/45-FT |
GI2403-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI2403HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI2404-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI2404HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08TA60C
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TA60C
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60C
Vishay Semiconductor Diodes Division
M10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
M20H100CTGHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
M20H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel