casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / M20H100CTGHE3_A/P
codice articolo del costruttore | M20H100CTGHE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-M20H100CTGHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
M20H100CTGHE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M20H100CTGHE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M20H100CTGHE3_A/P-FT |
BYQ28EF-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EF-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EF-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28EF-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28F-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT28F-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP4CGX30CF23C7N
Intel
5SGSED8N3F45C3N
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP20K200BC356-3
Intel