casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1618T-TD-E
codice articolo del costruttore | 2SD1618T-TD-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SD1618T-TD-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1618T-TD-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 50mA, 2V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PCP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1618T-TD-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1618T-TD-E-FT |
BC856BLT3
ON Semiconductor
BC857CLT1
ON Semiconductor
BC858ALT1
ON Semiconductor
BC859BLT1
ON Semiconductor
BC859BLT1G
ON Semiconductor
BC859BLT3G
ON Semiconductor
BC859CLT1
ON Semiconductor
BC859CLT1G
ON Semiconductor
BCW33LT1
ON Semiconductor
BCW65ALT1
ON Semiconductor
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel
EPF10K50SQC208-2X
Intel