casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SB30H150CT-1E3/45
codice articolo del costruttore | SB30H150CT-1E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-SB30H150CT-1E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB30H150CT-1E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB30H150CT-1E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB30H150CT-1E3/45-FT |
VS-47CTQ020-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-48CTQ060-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1535CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1545CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel