casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-MBR20100CT-1HM3
codice articolo del costruttore | VS-MBR20100CT-1HM3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-MBR20100CT-1HM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-MBR20100CT-1HM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR20100CT-1HM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBR20100CT-1HM3-FT |
CMSD2836 TR
Central Semiconductor Corp
CMSD2838 TR
Central Semiconductor Corp
CMSSH-3C TR
Central Semiconductor Corp
CMSD2005S TR
Central Semiconductor Corp
CMSD2005S BK
Central Semiconductor Corp
CMXD6001 TR
Central Semiconductor Corp
CMXD2004 TR
Central Semiconductor Corp
CMXD4448 TR
Central Semiconductor Corp
CMXSH-3 TR
Central Semiconductor Corp
BAS28 TR
Central Semiconductor Corp
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel